[发明专利]一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及光电材料技术领域，本发明提供了一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法，利用重力的作用改变涂覆于倾斜衬底上的钙钛矿前驱体溶液的形状；随着溶剂的蒸发，钙钛矿前驱体溶液顶部边缘的溶液浓度迅速过饱和形成晶核；溶剂的蒸发引起了溶液内溶质的对流，导致与已形成的结晶接触的液面优先结晶；之后通过半密封器皿控制溶剂的蒸发速率，已经结晶的区域浓度被控制在优化生长区，使结晶继续长大；随着蒸发的进行，已经形成的结晶持续进行面内的外延生长，最终获得大面积高质量的钙钛矿单晶薄膜。本发明提供的制备方法得到的钙钛矿半导体单晶薄膜的面积可以达到100mm2～1m2，没有明显的晶界和缺陷存在，质量较高。