[发明专利]一种窄带隙铁电半导体纳米颗粒、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 202011252498.2 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112517014B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘孝娟;姚明彩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | B01J23/825 | 分类号： | B01J23/825;B01J35/02;C02F1/30;C02F1/46;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明涉及光催化和压电催化技术领域，尤其涉及一种窄带隙铁电半导体纳米颗粒、其制备方法及应用。窄带隙铁电半导体纳米颗粒的制备方法包括：将Na |
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| 搜索关键词： | 一种 窄带 隙铁电 半导体 纳米 颗粒 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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