[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011247785.4 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112382634B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 阳涵;徐前兵;黄淑颖 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一堆叠层，所述第一堆叠层包括上选择栅极层；沿垂直于所述衬底的第一方向贯穿所述第一堆叠层、且在平行于所述衬底的第二方向排列的多个第一虚拟沟道结构，所述第一虚拟沟道结构在所述上选择栅极层中相互连通形成一切槽，用于将位于所述切槽两侧的所述上选择栅极层隔断开；沿所述第一方向贯穿所述第一堆叠层、且位于所述第一虚拟沟道结构两侧的多行存储串，从而无需额外通过传统的TSG切割工艺在上选择栅极层中形成切割结构，简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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