[发明专利]一种磁力计零偏无关的磁场指纹库生成方法有效
| 申请号： | 202011247148.7 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112461223B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 旷俭;牛小骥;李泰宇;刘韬 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01C17/38 | 分类号： | G01C17/38;G01C25/00;G06F16/29 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种磁力计零偏无关的磁场指纹库生成方法。本发明基于局部区域地磁场强度分量相同且磁场干扰的均值为零的假设，提供一种栅格形式的磁场指纹库生成方法。本发明与现有建库技术相比，简单高效，对手机姿态无要求，无需标定磁力计零偏，无需复杂的模型建立及计算方法，可以很好的解决由于磁力计零偏存在造成磁场数据库不准确的问题，使得磁场数据库更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁力计 无关 磁场 指纹 生成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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