[发明专利]一种阵列基板、测试方法以及显示装置有效
申请号: | 202011243400.7 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112420538B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/12;H10K59/12;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请的阵列基板中多晶硅层具有相对设置的第一面和第二面,多晶硅层形成有第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第八电阻。层间介质层设置在所述第一面,层间介质层设有过孔。金属层设置在层间介质层远离多晶硅层的一面,金属层形成有金属走线结构,金属走线结构包括相对设置的第一段和第二段以及相对设置的第三段和第四段,第一段和第二段通过第三段和第四段连接。其中,第一段穿过过孔连接第一电阻和第二电阻,第二段穿过过孔连接第三电阻和第四电阻,第三段穿过过孔连接第五电阻和第六电阻,第四段穿过过孔连接第七电阻和第八电阻。本申请可以通过电阻值的变化,得到阵列基板的弯折区承受的应力大小。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 测试 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造