[发明专利]一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底

摘要

本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro LED发光单元的阵列；S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底，制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列，获得转移衬底；S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料；S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料；S5将S1获得的Micro LED发光单元，一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底，去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接；S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀，微坑填入热塑性层形成弱连接结构，实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。