[发明专利]一种耐腐蚀的高强度中子屏蔽合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202011233267.7 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112195369B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘承泽;吴金平;潘晓龙;赵彬;李欢;徐建平;吴俊宇;张于胜 | 申请（专利权）人： | 西安稀有金属材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C22C16/00 | 分类号： | C22C16/00;C22C27/00;C22C1/02;C22F1/18;C21D1/30;B21J5/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 魏法祥 |
| 地址： | 710016 陕西省西安市西安经济*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐腐蚀的高强度中子屏蔽合金材料，该合金材料由以下质量百分数的元素组成：Hf 49％～51％，余量为Zr及不可避免的杂质；本发明还提供了一种制备耐腐蚀的高强度中子屏蔽合金材料的方法，该方法将海绵锆和海绵铪进行混合，然后进行压制和真空自耗电极熔炼，得到合金铸锭，将合金铸锭依次进行机械加工和倒角，然后进行三火次锻造，得到锻造后的合金铸锭，将锻造后的合金铸锭进行热处理，然后冷却，得到合金材料。本发明以Zr为基体，以Hf为主要合金元素，通过真空自耗电极熔炼和三火次锻造制备了合金材料，制备的合金材料物相单一，组织均匀，具有优异的中子屏蔽性能和优异的强度，同时具有极高的耐腐蚀性和可加工性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 强度 中子 屏蔽 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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