[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202011231399.6 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN113270543A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 金谷宏行 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置，其具有在第一方向上延伸的第一布线和在第二方向上延伸的第二布线。所述第一布线和所述第二布线在第三方向上彼此间隔开。所述第二布线具有面向所述第一布线的第一凹陷。电阻变化存储元件连接在所述第一布线与所述第二布线之间。导电层在所述电阻变化存储元件与所述第二布线之间，并且包含面向所述第二布线的第一突出。切换部分在所述导电层和所述第二布线之间，并且包含面向所述导电层的第二凹陷和面向所述第二布线的第二突出。所述第一突出在所述第二凹陷中。所述第二突出在所述第一凹陷中。所述切换部分被配置成根据所述第一布线与所述第二布线之间的电压来切换导电状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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