[发明专利]半导体结构与图像传感器及其形成方法

摘要

半导体结构与图像传感器及其形成方法包括可在半导体衬底的前侧上形成光电探测器、晶体管及金属内连结构。通过各向异性刻蚀工艺朝半导体衬底的前侧穿过背侧表面形成沟槽，各向异性刻蚀工艺提供具有大于0.5纳米的第一均方根表面粗糙度的垂直或锥形表面。通过在低于摄氏500度的生长温度下对沟槽的垂直或锥形表面执行外延生长工艺来沉积单晶半导体衬层。单晶半导体衬层的在实体上被暴露出的侧表面可具有小于0.5纳米的第二均方根表面粗糙度。可在实体上被暴露出的侧表面上形成具有均匀厚度的至少一介电金属氧化物衬层，以提供均匀的带负电的膜，其可被有利地用于减少暗电流及白色像素。