[发明专利]离子发生装置以及半导体制造设备在审
| 申请号： | 202011218147.X | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114446747A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 朴兴雨;李河圣;朱宁炳;刘金彪;刘青;王垚;李琳;张琦辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 李晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子发生装置及半导体制造设备，离子发生装置包括电弧室、喷嘴和气源，电弧室用于产生电弧，喷嘴与电弧室配合，喷嘴上设有多个与电弧室的内部连通的喷射孔，气源与喷嘴连通，用于为电弧室供给气体。当离子发生装置启动时，气源的气体经喷嘴的各喷射孔进入到电弧室的内部，由于在喷嘴上设置多个喷射孔，进入到电弧室的气体更加分散，从而提高了气体在电弧室的内部的均匀性，从而提高了气体的离子化效率，另外，减少了气体的使用量，使得生产制造的成本得到了降低。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 发生 装置 以及 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
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