[发明专利]MIM电容器的制作方法有效
| 申请号： | 202011206496.X | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112103179B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 曲厚任;邵迎亚;刘伯昌 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MIM电容器的制作方法，包括提供前端结构，并在所述前端结构上形成第一电极层，对所述第一电极层采用DSP溶液清洗，然后在所述第一电极层上依次形成电介质层和第二电极层。本发明采用DSP溶液对第一电极层进行清洗，减少第一电极层表面的杂质，提高了器件的可靠性，提升了产品的良率。进一步的，本发明采用DSP溶液对第一电极层进行单片式清洗，能够使稳定地控制第一电极层表面的杂质数量，保证了器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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