[发明专利]一种制备钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011192988.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112382724A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 逄淑平;崔光磊;孙秀红;邵志鹏;徐红霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 266101 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种制备钙钛矿薄膜的方法，及其利用方法所得钙钛矿薄膜在制备太阳能电池等光电器件中的应用。于0℃—100℃低温下，向钙钛矿前驱体溶液中引入有机胺盐添加剂获得前驱液，并将其涂覆在基底表面，使其于基底表面上形成前驱体薄膜，形成薄膜后0℃—100℃低温下将基底浸入反应溶剂中进行浸出反应，使前驱体薄膜形成钙钛矿薄膜。本发明方法实现了在低温下制备高质量，高结晶性的无机钙钛矿薄膜。本发明也提供了上述钙钛矿薄膜制备方法在钙钛矿太阳能电池中的应用实例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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