[发明专利]一种低场量子电阻芯片在审
申请号: | 202011187623.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112310276A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 蔡建臻;徐思伟;黄晓钉;潘攀;孙毅;宋海龙;门伯龙 | 申请(专利权)人: | 北京东方计量测试研究所 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/14 |
代理公司: | 北京善任知识产权代理有限公司 11650 | 代理人: | 王大方 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种低场量子电阻芯片,其由两量子霍尔电阻单体串联而成。各量子霍尔电阻单体包括输入电流电极、输出电流电极、第一~第四电压电极;两个量子霍尔电阻单体中的第一量子霍尔电阻单体的输出电流电极连接于两个量子霍尔电阻单体中的第二量子霍尔电阻单体的输入电流电极;第一量子霍尔电阻单体的第一、第二电压电极分别连接于第二量子霍尔电阻单体的第四、第三电压电极;第一量子霍尔电阻单体的输入电流电极与输入电流源连接;第二量子霍尔电阻单体的输出电流电极输出工作电流。根据本发明,解决了已有量子霍尔电阻难以在低磁场工作区间准确计量电阻的问题,以低成本实现在低磁场区间工作且不降低电阻计量准确度的低场量子电阻芯片。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 电阻 芯片 | ||
【主权项】:
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