[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 202011187610.9 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112216651A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 沈显青;吴智勇;李东;袁慎顽 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：在衬底上形成氧化物层和氮化物层；刻蚀氮化物层、氧化物层和衬底，在衬底内形成第一高度浅沟槽，第一高度浅沟槽的侧壁部分向外侧凸起；在第一高度浅沟槽的至少部分侧壁上形成内衬氧化层，以填充第一高度浅沟槽的侧壁向外凸起的部分，使得第一高度沟槽的侧壁是平滑的直壁；在第一高度浅沟槽底部，继续刻蚀衬底形成第二高度浅沟槽，并向第二高度浅沟槽中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离结构。内衬氧化层可以使得第一高度浅沟槽的侧壁是平滑的直壁，进而使得第二高度浅沟槽的侧壁为平滑的直壁，以提高第二高度浅沟槽绝缘材料填充的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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