[发明专利]包含嵌入式半导体装置的衬底结构及其制造方法在审
申请号: | 202011169246.3 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN113380751A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 陈建汎;廖玉茹;杨楚杰;施昇宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种衬底结构及其制造方法。所述衬底结构包含载体、所述载体上的电介质层、所述电介质层中的经图案化有机核心层及导电通孔。所述经图案化有机核心层界定在所述电介质层中朝向所述载体延伸的通道。所述导电通孔通过所述通道朝向所述载体延伸,而未接触所述经图案化有机核心层。 | ||
搜索关键词: | 包含 嵌入式 半导体 装置 衬底 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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