[发明专利]一种低电容的垂直腔面发射激光器及制作方法有效
| 申请号： | 202011166659.6 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112382926B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张江勇;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/042 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电容的垂直腔面发射激光器，包括衬底、外延层、第一电极、第二电极和有机聚合物层，其外延层通过绝缘隔离形成器件发光区，第二电极包括环形部和引出部，环形部设于器件发光区之上且内部形成激光器的出光口，引出部由环形部延伸至器件发光区之外，引出部下方的器件发光区之外的外延层设有若干向下延伸的空气柱，有机聚合物层设于引出部和外延层之间。本发明还公开了上述激光器的制作方法。本发明通过在第二电极下方的外延层制作若干孔洞状结构并形成空气柱减小第二电极下方材料的等效介电常数，降低了整体的厚度和表面厚度差异，芯片的可焊性得到了明显的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 垂直 发射 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
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