[发明专利]基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 202011162898.4 | 申请日: | 2020-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN112310238A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 曾龙辉;梁凤霞 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
| 主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
| 地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: |
本发明公开了基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法,是在Si基底上生长二维PtTe |
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| 搜索关键词: | 基于 二维 碲化铂 纳米 薄膜 驱动 肖特基结型超宽 波段 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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