[发明专利]硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置在审
| 申请号： | 202011162379.8 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112349583A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 衡鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅片刻蚀方法，包括以下步骤：步骤1：将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露；步骤2：将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；步骤3：将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。仅对硅片的待刻蚀区进行刻蚀，而硅片的非刻蚀区与刻蚀液隔离，避免对硅片正面的损伤，提高后续检测的精确性。本发明还涉及一种DSOD检测方法及硅片刻蚀装置。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 dosd 检测 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
