[发明专利]基于超表面光学天线的红外太赫兹信号探测器及制备方法在审
申请号: | 202011155858.7 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112216761A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 罗俊;胡钗;魏东;张新宇 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18;H01Q15/00;H01Q15/10 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于超表面光学天线的红外太赫兹信号探测器及制备方法,探测器包括:衬底、掺杂层、二氧化硅层、超表面光学天线层、欧姆电极、肖特基电极和普通电极;超表面光学天线层宽度为0.5~10mm,并且包括分别用于探测红外信号的第一金属层和探测太赫兹信号的第二金属层,由于第一金属层和第二金属层分别对入射的红外信号和太赫兹信号波段电磁信号具有极强的局域表面等离激元感应能力,一旦与对应的信号产生局域表面等离激元振荡,其响应速度属于超高速响应,能够在极短时间内产生极强的响应信号,使得探测器能够更好地分辨红外太赫兹波段的电磁信号。此外,由于超表面光学天线的制作采用纳米工艺,使得红外太赫兹信号探测器体积很小、重量很轻。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 光学 天线 红外 赫兹 信号 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的