[发明专利]3D NAND闪存存储器元件在审
| 申请号： | 202011153992.3 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114300469A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王子嵩 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种3D NAND闪存存储器元件包括：基底、基底上的源极线、源极线上的堆叠结构、堆叠结构上的位线以及柱状通道部。堆叠结构包括第一选择晶体管、多个存储单元与第二选择晶体管，其中第一选择晶体管包括第一选择栅极、存储单元包括控制栅极、第二选择晶体管包括第二选择栅极。柱状通道部自源极线轴向延伸并贯穿堆叠结构，以耦接至位线。所述第一选择晶体管包括改良萧特基能障(MSB)晶体管，以生成多数载流子直接隧穿(Direct Tunneling)至所述柱状通道部来执行程序操作或者抹除操作。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 存储器 元件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
