[发明专利]硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法有效
| 申请号： | 202011145590.9 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112271249B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 耿文平;丑修建;杨翔宇;毕开西;何锦龙;薛刚;李雅青;郑东宛 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H10N30/853 | 分类号： | H10N30/853;H10N30/072;H10N30/093 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 汪祖乐;杨孟娟 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 铁电单晶 材料 低温 晶圆键合 薄膜 加工 方法 | ||
【主权项】：
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