[发明专利]一种用于锑化铟单晶片的抛光方法有效
| 申请号： | 202011141093.1 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112216602B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 徐世海;于凯;李晖;高飞;程红娟;洪颖;王健;霍晓青;刘卫丹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/306;B23K26/356;B23K26/60;B24B1/00;B24B37/04;B24B37/30 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。该抛光方法分成两步：先经过激光抛光，然后再进行化学机械抛光。由于采用两步抛光方法，省去了传统单晶片切割后、抛光前常用的研磨过程，提高了抛光效率。利用激光抛光所具有的非接触加工，低损伤加工的特性，使化学机械抛光前的单晶片表面已达到微米级抛光水准，且不存在研磨后残留的划痕，从而使之后化学机械抛光过程不需要达到很高的厚度去除量，大幅度缩短了化学机械抛光时间，激光抛光过程时间最低可缩短至10分钟，配合化学机械抛光，整体抛光时间可控制在30分钟以内。且通过化学机械抛光对锑化铟单晶片进行抛光后，晶片表面实现了全局平坦化，表面粗糙度Ra小于0.3nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锑化铟单 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所，未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011141093.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
