[发明专利]电荷捕获型快闪存储器的编程方法有效
| 申请号： | 202011131877.6 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112349328B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 聂虹;陈精纬 | 申请（专利权）人： | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电荷捕获型快闪存储器的编程方法，包括：开启电荷捕获型存储器件的沟道，在源极与漏极之间形成横向电场，以产生从源极流向漏极的一次电子；经过预设时间，一次电子撞击漏极并产生空穴；在漏极及衬底上施加电压，空穴在电场的作用下向下做加速度运动并撞击衬底，产生二次电子；在栅极及衬底上施加电压，形成垂直电场，二次电子在垂直电场的作用下形成三次电子并注入电荷捕获型存储器件的绝缘存储介质层，完成编程操作。本发明在编程过程中，利用横向电场及垂直电场形成三次电子，可有效提高电荷捕获型存储器件的读写电流，减小功耗，提高器件可靠性；结合电荷捕获型存储器件的低成本优点，具有广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 捕获 闪存 编程 方法 | ||
【主权项】：
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