[发明专利]一种存储器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种存储器件及其制作方法，存储器件包括多个阵列排布的MTJ存储单元，任意两个相邻的MTJ存储单元中的MTJ膜层位于不同层，基于此，在相邻两个MTJ存储单元距离不变的情况下，可以相对增大同一层中相邻两个MTJ膜层的距离，进而可以降低同一层中MTJ膜层结构的密度，提高刻蚀对MTJ膜层侧壁的清洗能力，减少刻蚀产生的金属沉积量，改善金属沉积量增加导致的短路等问题。此外，在同一层中相邻两个MTJ膜层的距离满足清洗能力的情况下，也可以相对缩小相邻两个MTJ存储单元的距离，即相对增大MTJ存储单元的密度。