[发明专利]一种含有二氟甲基醚桥键的液晶单体化合物的制备方法有效
| 申请号： | 202011118812.8 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112125788B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 丁秋月;岳刚;王志强;禹凯;王利民;陈少华;张力;关登仕 | 申请（专利权）人： | 宁夏中星显示材料有限公司 |
| 主分类号： | C07C41/32 | 分类号： | C07C41/32;C07C43/247;C07C41/20;C09K19/30 |
| 代理公司： | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人： | 墨伟 |
| 地址： | 750409 宁夏回族自治区*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： |
本发明涉及液晶单体化合物合成技术领域，具体公开含有二氟甲基醚桥键的液晶单体化合物的制备方法。式Ⅰ所示的含多氟结构的化合物为原料，以式Ⅱ所示的咪唑类碱性离子液体为催化剂，有效提高了多氟结构原料的转化率，进而提高了目标产品的纯度和收率，制备得到的含有二氟甲基醚桥键的液晶单体化合物的HPLC含量大于99.9％，产品总收率大于85％，同时，还缩短了制备含有二氟甲基醚桥键的液晶单体化合物的工艺流程，且避免了使用成本昂贵的丁基锂试剂，进而避免了超低温反应，对设备要求低，降低了工艺难度，且对环境友好，是一种绿色环保且适合工业化生产的制备含有二氟甲基醚桥键的液晶单体化合物的新工艺。 |
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| 搜索关键词： | 一种 含有 甲基 醚桥键 液晶 单体 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
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