[发明专利]一种场效应晶体管的建模方法在审
| 申请号： | 202011115348.7 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114386347A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄安东 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33;G06F30/27 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种场效应晶体管的建模方法，包括：建立FET的小信号本征部分等效电路，并由此获得内部本征参数与外部偏置的关系；构建FET的大信号模型，其包括栅极电荷源、漏极电荷源、栅极电流源、漏极电流源和NQS子电路；通过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系；之后可使用查找表的方式储存或使用神经网络训练得到神经网络解析模型。本申请在电流源和电荷源的积分过程中，将NQS效应全部剔除，这种建模方式与NQS的物理机理一致，保证了小信号模型和大信号模型的统一，模型的精度不受频带的影响，也不需要使用高阶源，无论从模型的鲁棒性，精确度以及模型抽取的难度而言，都显著优于现有模型框架。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 建模 方法 | ||
【主权项】：
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