[发明专利]一种双面氦离子束刻蚀制备近零厚度纳米孔的方法及其产品和应用在审
| 申请号： | 202011104735.0 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112198194A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王德强;刘业香;何石轩;谢婉谊;方绍熙;周大明;殷博华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双面氦离子束刻蚀制备近零厚度纳米孔的方法及其产品和应用，属于单分子纳米孔检测技术领域。本发明公开了一种双面氦离子束刻蚀制备近零厚度纳米孔的方法，通过具有极高的加工精度和可控性的氦离子束加工方法，制备得到具有高度可控性的零厚度纳米孔结构，使其材料、孔径大小、孔径的样式、孔径个数都可以根据待测分子的性质进行专有性设计，能够提高纳米孔检测DNA序列、RNA序列、DNA序列的修饰、RNA序列的修饰或蛋白质分子的空间分辨率、时间分辨率以及捕获率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 离子束 刻蚀 制备 厚度 纳米 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
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