[发明专利]用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统在审
| 申请号： | 202011103270.7 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670239A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 楠本健一;安田泰造;信藤秀和;森田孝平 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统。使用避免无意的接触扩张和接触减少的方法形成具有与硅化物区域邻近的至少一个导电接触结构的微电子装置。在接触开口中形成第一金属氮化物衬里，并且随后处理(例如，清洁和干燥)多晶硅结构的暴露表面以准备形成硅化物区域。在预处理(例如，清洁和干燥)期间，相邻介电材料受到金属氮化物衬里的保护，从而阻止接触开口的扩张。在形成硅化物区域之后，在形成导电材料以填充接触开口并且形成导电接触结构(例如，存储器单元接触结构、外围接触结构)之前，在硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可靠 形成 具有 针对 硅化物 区域 导电 触点 微电子 装置 方法 以及 相关 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
