[发明专利]一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011103189.9 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112310287A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 芮一川;王晓洁;石江珊;金作明 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;B05D1/02;B05D7/24;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将二价铜源、三价铁源和三价铬源溶于去离子水中，搅拌均匀后加入碱源，搅拌15～30min，然后将混合溶液移入反应釜进行水热反应；(2)向步骤(1)所得产物中加入稀盐酸调节溶液pH至6.5～7.5，随后依次用去离子水和乙醇离心清洗产物，将清洗后的产物分散在醇类有机溶剂中，制得Fe‑CuCrO |
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| 搜索关键词： | 一种 规模化 生产 稳定 无机 空穴 传输 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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