[发明专利]一种调控高定向热解石墨表面缺陷位电荷密度和缺陷位数量的方法在审
| 申请号： | 202011102545.5 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112240942A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张文超;高健智;张鑫;丁浩轩 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20;G01Q60/16;C01B32/21 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵琪 |
| 地址： | 710119 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调控高定向热解石墨表面缺陷位电荷密度和缺陷位数量的方法，属于石墨调控技术领域。本发明通过限定离子束的能量，轰击HOPG表面能够形成原子级别点缺陷结构，避免能量过大破坏石墨表面；通过控制扫描隧道测试的偏压，改变缺陷位电荷密度和缺陷位数量，氮离子经过低能轰击后会与高定向热解石墨表面碳原子形成C‑N键，局部会出现n型掺杂状态，氮元素所带的额外电子会增加点缺陷附近的电子态密度，且改变偏压之后，部分点缺陷会在正偏压下呈现高电子态密度，部分点缺陷是在低偏压下呈现高电子态密度，部分点缺陷的电子态密度不随偏压值的改变而不变，即实现对点缺陷的数量调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 定向 石墨 表面 缺陷 电荷 密度 数量 方法 | ||
【主权项】：
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