[发明专利]一种双层复杂交错结构微通道热沉在审
| 申请号: | 202011101893.0 | 申请日: | 2020-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN112038311A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
| 发明(设计)人: | 刘晓刚;徐鑫;杨超 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 150080 黑龙江省哈*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | 本发明提供一种双层复杂交错结构微通道热沉,包括基板1和封装板2。所述基板和封装板相互键合,基板下方是热源8。所述封装板上设置有冷却剂进口3和冷却剂出口4。所述硅基底板分为分流区5,微通道区6和合流区7。所述微通道区6,刻蚀出上下两层相互交错斜向布置的斜槽9,斜槽构成矩阵子通道。上层矩阵子通道和下层矩阵子通道间交错布置,交叉区域10相互连通。矩阵子通道呈一定角度布置,矩阵子通道间周期排列。分流区、合流区和侧槽子通道由基板和封装板的合围区域构成。本发明上下层冷却剂可以充分混合,且矩阵子通道拐角处,冷却剂会周期性改变流动法向,形成强烈的流体扰动现象,可以破坏热边界层,适用于大功率电子芯片散热领域。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 双层 复杂 交错 结构 通道 | ||
【主权项】:
暂无信息
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