[发明专利]半导体光致抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法在审
| 申请号： | 202011093850.2 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112666794A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 文京守;姜恩美;金宰贤;金智敏;南宫烂;禹昌秀;田桓承;蔡承龙;韩承 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1] |
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| 搜索关键词： | 半导体 光致抗蚀剂 组合 使用 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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