[发明专利]一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺在审
| 申请号: | 202011093126.X | 申请日: | 2020-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN112349797A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 张继军;李磊;王淑蕾;王林军;李天友;闵嘉华;梁小燕 | 申请(专利权)人: | 上海大学;中广核工程有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/119;H01L31/18;G01T1/24 |
| 代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人: | 张勤绘 |
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种碲锌镉探测器的器件结构,包括有:由CZT及Si构成的复合晶体;设于复合晶体两端的电极及设于复合晶体侧壁的弗里希栅极;一种碲锌镉探测器的制备工艺,针对此结构的探测器进行。形成依次的:硅片预处理、碲锌镉表面处理、单晶硅与碲锌镉进行低温键合、电极制备、表面钝化、弗里希栅制备工序。本发明的一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺,从结构本身的设置及工艺方面,在着重探测器的探测效率及能量分辨率基础上,兼顾考量漏电流问题及键合问题,最终形成漏电流小、系统的信噪比高、构成探测器的复合晶体内部键合强度高的一种高探测效率及高能量分辨率的探测器。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 碲锌镉 探测器 器件 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





