[发明专利]超晶格材料和应用在审
| 申请号： | 202011090667.7 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420816A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | C·J·R·P·奥古斯托 | 申请（专利权）人： | 量子半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/737;H01L29/78;H01L27/12;H01L27/146;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王伦伟;梅黎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及超晶格材料和应用，包括第IV族元素的超晶格晶胞重复多次以便形成超晶格。各超晶格晶胞具有彼此平行的多个有序原子平面。超晶格晶胞中的至少两个原子平面具有不同的化学组成。超晶格晶胞中的一个或更多个原子平面的一种或更多种组分选自碳、锡和铅。这些超晶格产生多种应用，包括但不限于晶体管、光传感器和光源。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 材料 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于量子半导体有限公司，未经量子半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011090667.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
