[发明专利]高能量离子源在审
| 申请号： | 202011080535.6 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112086330A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 郭方准;石晓倩;朱美强 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | H01J3/04 | 分类号： | H01J3/04;H01J3/18;H01J3/08;H01J3/10 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 徐华燊;李洪福 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高能量离子源。本发明涉及超高真空设备开发领域。高能量离子源主要由离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构、氩气进入机构和角度可调机构组成。在这个核心构造里要产生氩离子，并完成对离子的加速和聚焦。本发明的离子产生与引导机构是由引出上覆盖栅网构成，该引导孔相对于氩离子处于负电压，电压值在数百至数千伏特之间可调。离子引导孔不仅可以加速氩离子，也可以约束离子束流的指向；本发明的离子聚焦机构采用三个互相绝缘的静电透镜，通过调节中间透镜可变电阻来调节离子束，进行进一步的约束；本发明的角度可调机构采用还可保证进气管与进气孔同轴心调形成团簇原子。本发明能够很好地约束离子束流的指向。 | ||
| 搜索关键词： | 高能量 离子源 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连交通大学，未经大连交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011080535.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
