[发明专利]一种硅波导及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011065987.7 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112198588A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/136;G02B6/13
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 金铭
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种硅波导及其制备方法。一种硅波导的制备方法,包括:在半导体基底上形成矩形硅波导;通入氢气气流,对所述矩形硅波导进行退火处理,使表面光滑,退火温度为975℃~1025℃。本发明方法利用高温退火工艺将矩形光波导修正为表面光滑的弧形波导,降低了粗糙度,从而降低波导传输损耗。
搜索关键词: 一种 波导 及其 制备 方法
【主权项】:
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