[发明专利]一种十字岛耐高温耐腐蚀压力传感器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202011065248.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112284607B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;杨鑫婉;李村;郝乐;张凯 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L19/06 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种十字岛耐高温耐腐蚀压力传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部的薄膜，薄膜下表面加工有一个十字型质量块，薄膜上表面的边缘中心或在十字型质量块尾部所对应的薄膜上表面布置四个压敏浮雕电阻条，四个压敏浮雕电阻条通过五个P型重掺杂硅浮雕块依次连接成半开环惠斯顿电桥；制备方法是对SOI硅片掺杂掩蔽刻蚀压敏浮雕电阻条和P型重掺杂硅浮雕块，制作点电极，将硅片与玻璃正面键合，然后制作传感器背腔的十字型质量块；本发明传感器芯片具有耐300℃高温、耐腐蚀、高线性度、高灵敏度、高动态等特点，且便于加工、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 十字 耐高温 腐蚀 压力传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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