[发明专利]阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202011060616.X | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112331723B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 宁静;张弛;张进成;王博宇;王东;马佩军;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法，本发明的GaN二极管包括：自下而上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上设置有阴极；AlGaN沟道层和AlGaN势垒层内设置有凹槽，凹槽的底部、侧壁以及部分AlGaN势垒层上设置有阳极；AlGaN势垒层上未被覆盖的区域设置有介质层；其中，阳极与凹槽以及AlGaN势垒层的接触部分为晶向为100的W或Ni金属。本发明的GaN二极管，采用晶向为100的W或Ni金属作为阳极金属，相比于混合晶向的阳极金属具有更好的功函数匹配，从而形成了势垒更小的肖特基接触，使得二极管具有更小的开启电压。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 金属 一致 开启 电压 gan 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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