[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011052637.7 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582406A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 荷尔本·朵尔伯斯;马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；主电路，设置在衬底的正面上方；以及背面功率输送电路，设置在衬底的背面上方。背面功率输送电路包括：第一主电源布线，用于提供第一电压；第二主电源布线，用于提供第二电压；第一局部电源布线；以及第一开关，连接至第一主电源布线和第一局部电源布线。第一主电源布线、第二主电源布线、以及第一局部电源布线埋至设置在衬底的背面上方的第一背面绝缘层中。第一局部电源布线通过穿过衬底的第一贯穿硅通孔(TSV)连接至主电路，用以提供第一电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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