[发明专利]像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成在审
| 申请号： | 202011025033.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112565641A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | F·卡克林;J·M·雷诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(RD)有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例涉及像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成。一种成像传感器，包括像素阵列，该像素阵列包含光电二极管，光电二极管通过全厚度深沟槽隔离而彼此隔离。在逐行的基础上，行控制电路装置控制像素阵列的哪些行在成像模式中操作以及像素阵列的哪些行在能量收集模式中操作。开关电路装置选择性地将在能量收集模式中操作的成行的光电二极管的不同组连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置串联配置，或连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置并联配置。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 阵列 使用 重新 配置 光电二极管 进行 电压 生成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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