[发明专利]一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011022463.X | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133801A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 梅洋;徐欢;张保平;应磊莹;龙浩;郑志威;罗荣煌;刘杨;钟梦洁;侯想 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/46;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，其中，氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜，下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成，介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成，金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中，介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 谐振腔 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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