[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包含基板、第一字线结构、第二字线结构、第三字线结构、以及第四字线结构。基板具有被隔离结构围绕的主动区。第一字线结构及第二字线结构设置在主动区中并彼此分离。第三字线结构及第四字线结构设置在隔离结构中，其中第三字线结构及第四字线结构分别包含底部功函数层、位于底部功函数层上的中间功函数层、以及位于中间功函数层上的顶部功函数层。中间功函数层具有功函数大于顶部功函数层的功函数及底部功函数层的功函数。本发明的半导体结构可实现较高的驱动电流与较低的阈值电压敏感度，且可以避免短通道效应。