[发明专利]使用应力控制制造厚电介质膜的方法在审
| 申请号： | 202011007564.X | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112582255A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 巫凯意;潘永安 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文公开了一种在用于器件制造的晶圆上制造厚的无裂纹电介质膜的方法。在晶圆的围绕多个器件区域的氧化物层中制造应力释放图案。应力释放图案包括多个凹部，多个凹部沿着至少一个方向周期性地间隔开。多个凹部在电介质膜沉积期间中断连续的膜，以防止在电介质膜中形成裂纹并扩展到器件区域中。因此，可以在通过图案化电介质层形成的器件区域中获得厚的无裂纹电介质膜。此外，可调整电介质膜沉积工艺的条件以确保所沉积的电介质膜的质量。此外，可执行多个沉积过程以沉积厚的无裂纹电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 应力 控制 制造 电介质 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
