[发明专利]PN体接触场效应晶体管在审
| 申请号： | 202011007417.2 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112992896A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | A·D·利拉克;K·M·富利;S·哈桑;P·莫罗;W·拉赫马迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈涵瀛;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开的是PN体接触场效应晶体管（PNBTFET）以及相关装置及方法。在一些实施例中，集成电路（IC）结构可以包括：鳍，所述鳍包括沟道区域、接触区域以及在所述接触区域与所述沟道区域之间的中间区域，其中，所述沟道区域包括第一类型的掺杂剂，所述中间区域包括与所述第一类型不同的第二类型的掺杂剂，并且所述接触区域包括所述第一类型的掺杂剂；栅极，所述栅极至少部分地环绕所述沟道区域；以及导电接触部，所述导电接触部与接触区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | pn 接触 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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