[发明专利]宽带高透过非对称超材料偏振调控器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010971399.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112130245B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杜庆国;田宇;陈志伟;李政颖;任芳芳 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 李满 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种宽带高透过非对称超材料偏振调控器，所述偏振调控器包括采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构底层、在图形化的金属微纳结构底层顶面采用电子束蒸发沉积制备的绝缘介质层、在绝缘介质层顶面采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构顶层；本发明利用超材料的结构设计制造一种非对称光波调控器。本发明具有比自然材料更加优异的偏振光非对称转换性能，本发明能减少传统光学器件的能量损失。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 透过 对称 材料 偏振 调控 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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