[发明专利]一种在衬底上的高深宽比接触通孔的底部打开保护层的方法在审
| 申请号： | 202010960559.4 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112133676A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曹路;刘翊;张同庆 | 申请（专利权）人： | 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在衬底上的高深宽比接触通孔的底部打开保护层的方法，包括：提供一个衬底和衬底上第一层和第二层保护沉积；衬底具有在其中形成有通孔图案的第一层和保护地沉积在第一层上的第二层；第二层顺着第一层、沿着第一层的顶表面延伸，在通孔图案的入口处包裹在拐角上，并渗透覆盖到通孔中在与通孔图案的侧壁和底部相符合的同时，该通孔图案部分地建立接触通孔图案，在接触通孔图案的大约中间深度处测量的初始孔中部临界尺寸CD，以及在近似顶部处测量的初始顶部CD；并测量最终临界尺寸，该临界尺寸位于所述触点的中部深度，包括位于所述入口的所述拐角处；接触通孔图案的特征在于第二层包裹在通孔图案的拐角上时具有初始拐角轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 高深 接触 底部 打开 保护层 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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