[发明专利]一种铬硅化物靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010959472.5 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112144024B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申请（专利权）人： | 浙江最成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/15;B22F3/24 |
| 代理公司： | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铬硅化物靶材及其制备方法，特点是该CrSi靶材相对密度在99％以上，氧含量小于500ppm，其制备方法包括以下步骤：将纯度99.9％以上的铬和硅混合后粉碎成平均粒径10‑100μm的粉末；2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中反应生成二硅化铬化合物粉末，用此方式产生的粉末作为原材料的一部分；3)然后将步骤1)和步骤2)的混合原料粉末通过真空热压，在惰性气体气氛10‑1000Pa下，于1200‑1350℃和加压力400‑600kg/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 铬硅化物靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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