[发明专利]改善GaAs接地孔内金属应力的通孔及制备方法在审
| 申请号： | 202010955734.0 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112038287A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 崔雍;周国;朱延超;宋洁晶;付兴中;张力江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种改善GaAs接地孔内金属应力的通孔及制备方法，该方法包括：在正面工艺制备完成的晶圆背面的预设区域进行通孔刻蚀，刻蚀终止在第二外延层上；对刻蚀的通孔内的第一外延层和第二外延层进行横向腐蚀；对通孔孔底区域对应的第二外延层进行刻蚀，形成台阶状形貌，刻蚀终止在底层金属上；在晶圆背面和通孔内溅射种子层，在种子层上制备电镀层，腐蚀掉晶圆背面的电镀层和种子层。通过设计并制作通孔形貌，减缓金属镀层在孔内的应力集中点分布，解决了由于金属镀层应力集中导致GaAs开裂和电镀层脱落的问题，且改善GaAs接地孔内金属应力的通孔制备方法的操作简单、可重复性好，能够满足批产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 gaas 接地 金属 应力 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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