[发明专利]一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法有效
| 申请号: | 202010945709.4 | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN112038452B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
| 发明(设计)人: | 田浩;李帅;谭鹏;周忠祥 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G03F7/16 |
| 代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | 一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法,本发明涉及一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法。本发明的目的是要解决现有的有机透明电极薄膜的图案化刻蚀工艺复杂、周期长、尺寸小的问题,本发明在清洗后的基底上旋涂光刻胶,烘干后得到光刻胶层;使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化,烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底;在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜,浸泡在有机溶剂中,超声清洗,氮气吹干即完成。本发明刻蚀图案利用紫外曝光一次成型,整个刻蚀工艺流程周期短,成品快。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 紫外 光刻 工艺 pedot pss 电极 快速 图案 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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