[发明专利]一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202010929663.7 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN114156346A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 王文樑;李国强;杨昱辉;江弘胜;肖一鸣;董文浩 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/329;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/203
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 殷妹
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用。所述结构自下而上依次为Al衬底、非掺杂AlxGa1‑xN层和非掺杂GaN层,还包括台面隔离凹槽和肖特基接触电极;所述台面隔离凹槽底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层,一侧与非掺杂GaN层接触,另一侧与肖特基接触电极接触,所述台面隔离凹槽内表面沉积有一层SiNy钝化层;所述肖特基接触电极底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层,一侧与台面隔离凹槽接触,另一侧为整流器的侧面。本发明所得整流器既可在室温下生长,降低了能耗,靶材成本低,又能大规模生产。
搜索关键词: 一种 algan gan 35 ghz 毫米波 整流器 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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